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Metal Sputtering Target wird hauptsächlich in Elektronik und Informationsindustrie verwendet

Metall-Sputter-Target wird hauptsächlich in der Elektronik- und Informationsindustrie verwendet, wie z. B. integrierte Schaltungen, Informationsspeicherung, Flüssigkristallanzeige, Laserspeicher, elektronische Steuergeräte usw .; Kann auch im Bereich der Glasbeschichtung verwendet werden; Kann auch in verschleißfesten Materialien, Korrosion, hochwertigen dekorativen Lieferungen und anderen Branchen verwendet werden.

Sputtering Zielklassifizierung

Entsprechend der Form kann in langes Ziel geteilt werden, quadratisches Ziel, rundes Ziel, geformtes Ziel

Entsprechend der Zusammensetzung kann in Metall-Ziel, Legierung Ziel, Keramik-Compound Ziel geteilt werden

Nach der Anwendung von verschiedenen ist in Halbleiter-bezogenen keramischen Ziel, Aufzeichnungsmedium Keramik-Target, Display Keramik-Target, supraleitenden Keramik-Target und Riesen-Magnetoresistenz Keramik-Target aufgeteilt

Entsprechend dem Anwendungsgebiet wird es in das mikroelektronische Ziel, das magnetische Aufzeichnungsziel, das optische Plattenziel, das Metallsputtering-Ziel-Edelmetall-Target, das Dünnfilm-Widerstandstarget, das leitfähige Filmtarget, das oberflächenmodifizierte Target, das Maskenziel, das dekorative Schichtziel, das Elektrodenziel, unterteilt , Paketziel, anderes Ziel

Magnetron-Sputter-Prinzip: im Sputtertarget (Kathode) und der Anode zwischen einem orthogonalen Magnetfeld und einem elektrischen Feld in der Hochvakuumkammer, gefüllt mit dem erforderlichen Inertgas (meist Ar-Gas), Permanentmagnet im Target Die Oberfläche der Material, um ein Magnetfeld von 250 ~ 350 Gauss zu bilden, wobei das Hochspannungsfeld aus orthogonalem elektromagnetischem Feld besteht. Unter der Wirkung des elektrischen Feldes wird die Ar-Gas-Ionisation in positive Ionen und Elektronen, das Metall-Sputter-Target auf das Ziel mit einem bestimmten Unterdruck addiert, die vom Target emittierten Elektronen durch das Magnetfeld und die Ionisationswahrscheinlichkeit des Arbeitsgases beeinflusst Steigt, bildet ein hochdichtes Plasma nahe dem Kathodenkörper, Ar-Ionen in der Rolle der Lorentz-Kraft, um den Flug auf die Zieloberfläche zu beschleunigen, mit einer hohen Rate der Bombardierung der Zieloberfläche, so daß das Sputtern der Zielatome dem folgt Impulsumwandlungsprinzip mit hoher kinetischer Energie aus der Zielfliege Das Substrat wird abgelagert und deponiert. Magnetron-Sputtering ist in der Regel in zwei Arten aufgeteilt: Tributary Sputtering und HF-Sputtern, die Tributary Sputtering-Ausrüstung ist im Prinzip einfach, in der Sputtering von Metall, ist seine Rate auch schnell. Die Verwendung von HF-Sputtering ist umfangreicher, Metall-Sputter-Target zusätzlich zu Sputtern leitfähigen Material, sondern auch Sputtern nicht leitfähigen Materialien, während die Abteilung für reaktive Sputterung Vorbereitung von Oxiden, Nitriden und Carbiden und anderen Verbindungen. Wenn die HF-Frequenz nach dem Werfen einer Mikrowellen-Plasma-Sputtering, häufig verwendete elektronische Zyklotron-Resonanz (ECR) Typ Mikrowellen-Plasma-Sputtering erhöht.